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IDT70T651/9S
High-Speed 2.5V 256/128K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Waveform of Read Cycles (5)
t RC
ADDR
Industrial and Commercial Temperature Ranges
CE
(6)
(4)
t AA
(4)
t ACE
t AOE
(4)
OE
t ABE (4)
BE n
R/ W
t LZ /t LZOB
(1)
t OH
DATA OUT
VALID DATA
(4)
BUSY OUT
t HZ
(2)
.
t BDD
(3,4)
5632 drw 06
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last, OE , CE or BE n.
2. Timing depends on which signal is de-asserted first CE , OE or BE n.
3. t BDD delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations BUSY
has no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t AOE , t ACE , t AA , t ABE or t BDD .
5. SEM = V IH .
6. CE = L occurs when CE 0 = V IL and CE 1 = V IH . CE = H when CE 0 = V IH and/or CE 1 = V IL .
Timing of Power-Up Power-Down
CE
I CC
t PU
t PD
I SB
50%
50%
5632 drw 07
.
12
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